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WXSZ-C型多功能數字式四探針測試儀

產品分類: 電阻率測試儀

XGSZ-C型多功能數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試材料電阻率/方塊電阻的多用途、智能化綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》等并參考美國 A.S.T.M 標準。

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一、產品概述

1.1基本功能和依據標準:

WXSZ-C型多功能數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試材料電阻率/方塊電阻的多用途、智能化綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》等并參考美國 A.S.T.M 標準。 

1.2 儀器成套組成:由XGSZ-C四探針主機、選配的四探針探頭、選配四探針測試臺等部分組成。

1.3優勢特征:

1:本測試儀特增設測試結果自動分類功能,最大分類10類。

2:可定制 USB通訊接口,便于其拓展為集成化測試系統中的測試模塊。

3:8檔位超寬量程,行業領先。 同行一般為五到六檔位。

4: 儀器小型化、手動/自動一體化。

5: 儀器操作簡便、性能穩定,所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤輸入,簡便而且免除模擬定位器的不穩定。

1.4探頭選配:根據不同材料特性需要,探頭可有多款選配。詳情見《四探針探頭型號規格特征選型參照表》

1配高耐磨的碳化鎢探針探頭,如C-F01型,以測試硅等半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;

2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭,如B-F01型,可測金屬箔、碳紙等導電薄膜,也可測陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導電涂層膜,如金屬鍍膜、噴涂膜、ITO膜、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻。

3配專用箔上涂層探頭,如B-F02型,也可測試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻。

4換上四端子測試夾具,還可對電阻器的體電阻進行測量。。

1.5適用范圍:儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校四探針法對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。


二、基本技術參數

 測量范圍

1、電阻率:10-6~2X105 Ω .cm

2、方塊電阻:10-5~1X106 Ω /£

3、電阻:10-5~2X106 Ω

2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式決定)

直    徑: 測試臺直接測試方式180mm×180mm

長(高)度:  測試臺直接測試方式 H≤100mm,    .

測量方位:  軸向、徑向均可

數字電壓表:量程20.00mV~2000mV

3.3 量程劃分及誤差等級

滿度顯示

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

測試電流

0.1μA

1.0μA

10μA

100μA

1.0mA

10mA

100mA

1.0A

常規量程

kΩ-cm/□

kΩ-cm/□

Ω-cm/□

mΩ-cm/□

基本誤差

±2%FSB

±4LSB

±1.5%FSB

±4LSB

±0.5%FSB±2LSB

±1.0%FSB

±4LSB

注: 電流精度 ±0.1%

 3.4 四探針探頭(選配其一或加配全部)

(1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調

(2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可調

 3.5. 電源

輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗:<20W

 3.6.外形尺寸、重量:

主   機: 220mm(長)×245 mm(寬)×100mm(高),     凈   重:≤2.5kg


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